BGH75N120HF1, Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
81 шт., срок 6 недель
3 320 руб.
от 3 шт. —
2 660 руб.
от 10 шт. —
2 140 руб.
от 30 шт. —
1 875.34 руб.
1 шт.
на сумму 3 320 руб.
Плати частями
от 830 руб. × 4 платежа
от 830 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 75A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 398nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 568W |
| Pulsed collector current | 200A |
| Technology | Field Stop, SiC SBD, Trench |
| Turn-off time | 443ns |
| Turn-on time | 140ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2919 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
