DB103S
![Фото 1/3 DB103S](https://static.chipdip.ru/lib/336/DOC004336815.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/463/DOC044463122.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/340/DOC042340576.jpg)
140 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
63 руб.
от 10 шт. —
45 руб.
от 100 шт. —
30.75 руб.
2 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Диодный мост: однофазный; Urmax: 200В; If: 1А; Ifsm: 30А; DB-1S; SMT
Технические параметры
Вид упаковки | туба |
Импульсный ток | 50А |
Корпус | DB-1S |
Обратное напряжение макс. | 200В |
Производитель | DC COMPONENTS |
Прямой ток | 1А |
Размеры | посмотрите |
Тип полупроводникового элемента | однофазный выпрямительный мост |
Характеристики полупроводниковых элементов | glass passivated |
Электрический монтаж | SMT |
Case | DB-1S |
Electrical mounting | SMT |
Features of semiconductor devices | glass passivated |
Kind of package | reel, tape |
Load current | 1A |
Manufacturer | DC COMPONENTS |
Max. forward impulse current | 30A |
Max. forward voltage | 1.1V |
Max. off-state voltage | 200V |
Type of bridge rectifier | single-phase |
Вес, г | 0.3467 |
Техническая документация
Datasheet DB10хS
pdf, 55 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.