S2M0016120D, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W

S2M0016120D, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
10 840 руб.
1 шт. на сумму 10 840 руб.
Плати частями
от 2 710 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8026719296
Артикул: S2M0016120D

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247AD
Drain current 140A
Drain-source voltage 1.2kV
Gate charge 224nC
Gate-source voltage -5…20V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer SMC DIODE SOLUTIONS
Mounting THT
On-state resistance 16mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 714W
Pulsed drain current 314A
Technology SiC
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2660 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.