IXTT48P20P, -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 560 руб.
Кратность заказа 30 шт.
от 60 шт. —
2 380 руб.
от 120 шт. —
2 240 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 76 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -48А, 462Вт, ТО268 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
| Pd - рассеивание мощности | 462 W |
| Qg - заряд затвора | 103 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 46 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Высота | 5.1 mm |
| Длина | 16.05 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTT48P20 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 67 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Ширина | 14 mm |
