IXTP52P10P, -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 360 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
1 140 руб.
от 250 шт. —
1 060 руб.
50 шт.
на сумму 68 000 руб.
Плати частями
от 17 000 руб. × 4 платежа
от 17 000 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, ТО220АВ Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 52A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 26A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.845nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ
