2N7002KDW-R1-00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
405000 шт., срок 6 недель
5 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 15 000 руб.
Плати частями
от 3 750 руб. × 4 платежа
от 3 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8027142562
Бренд: PanJit Semiconductors
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Технические параметры
| Manufacturer | PANJIT |
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Series: | NFET-035TS |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 115mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 35pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 800pC@4.5V |
| Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet 2N7002KDW_R1_00001
pdf, 329 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
