IXTT20P50P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 640 руб.
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 79 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -500В, -20А, 460Вт, ТО268 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 34 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-268-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 460 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 103 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Rise Time: | 32 ns |
| Series: | IXTT20P50 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PolarP |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | PolarP Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 223 КБ
