S2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 6 недель
3 980 руб.
от 3 шт. —
3 190 руб.
от 10 шт. —
2 550 руб.
от 25 шт. —
2 240.82 руб.
1 шт.
на сумму 3 980 руб.
Плати частями
от 995 руб. × 4 платежа
от 995 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 29A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 54nC |
| Gate-source voltage | -10…25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 137mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 231W |
| Pulsed drain current | 82A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3841 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
