IXXH30N65B4, 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 080 руб.

Кратность заказа 30 шт.

от 120 шт. — 1 010 руб.

от 270 шт. — 944 руб.

от 510 шт. — 924.57 руб.

30 шт. на сумму 32 400 руб.

Плати частями
от 8 100 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8027338848

Артикул: IXXH30N65B4

Semiconductors\Discrete Semiconductors

Описание Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 30А, 230Вт, TO247-3 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	230 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.66 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	65 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	30 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXXH30N65
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247AD-3

pdf, 169 КБ