IXTK200N10L2, L2 Linear Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 690 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 167 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
МОП-транзистор L2 Linear Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.04 mW |
| Qg - заряд затвора | 540 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 225 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Высота | 26.16 mm |
| Длина | 19.96 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | Linear L2 |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Серия | IXTK200N10 |
| Технология | Si |
| Тип | Linear L2 Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 127 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Ширина | 5.13 mm |
