IXTA76P10T, -76 Amps -100V 0.024 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 220 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
1 070 руб.
от 250 шт. —
999 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 61 000 руб.
Плати частями
от 15 250 руб. × 4 платежа
от 15 250 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, ТО263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 298 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 197 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Rise Time: | 40 ns |
| Series: | IXTA76P10 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchP |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | TrenchP Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 331 КБ
