MMBT4403-R1-00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57000 шт., срок 6 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 18 000 руб.
Плати частями
от 4 500 руб. × 4 платежа
от 4 500 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8027803717
Бренд: PanJit Semiconductors
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Maximum DC Collector Current | 600mA |
Pd - Power Dissipation | 225mW |
Transistor Type | PNP |
Brand: | Panjit |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 750 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -600 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 at-150 mA, -2 V |
DC Current Gain hFE Max: | 300 at-150 mA, -2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | GPT-03TP |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 458 КБ
Datasheet MMBT4403_R1_00001
pdf, 461 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.