PJT7808-R1-00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24000 шт., срок 6 недель
12 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 36 000 руб.
Плати частями
от 9 000 руб. × 4 платежа
от 9 000 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8027821619
Бренд: PanJit Semiconductors
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Series: | NFET-20TSMN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
Техническая документация
Datasheet PJT7808_R1_00001
pdf, 295 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
