IXTP10P50P, -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
1 040 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
1 020 руб.
50 шт.
на сумму 52 000 руб.
Плати частями
от 13 000 руб. × 4 платежа
от 13 000 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
500V 10A 300W 1Ω@5A,10V 4V@250uA P Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.84nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 50nC@10V |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Littelfuse/IXYS IXTP10P50P
pdf, 175 КБ
