PJT7600-R1, Transistor: N/P-MOSFET

PJT7600-R1, Transistor: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2700 шт., срок 6 недель
53 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт.30 руб.
от 100 шт.27 руб.
от 500 шт.20.17 руб.
5 шт. на сумму 265 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8029431542
Артикул: PJT7600-R1

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors

Технические параметры

Case SOT363
Drain current 1A/-700mA
Drain-source voltage 20/-20V
Gate charge 1.6/2.2nC
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer PanJit Semiconductor
Mounting SMD
On-state resistance 400/600mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.35W
Type of transistor N/P-MOSFET
Вес, г 0.01

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.