PJT7801-R1, Transistor: P-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2945 шт., срок 6 недель
53 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт. —
30 руб.
от 100 шт. —
27 руб.
от 500 шт. —
20.17 руб.
5 шт.
на сумму 265 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Технические параметры
| Case | SOT363 |
| Drain current | -0.7A |
| Drain-source voltage | -20V |
| Gate charge | 2.2nC |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.6Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.35W |
| Pulsed drain current | -2.8A |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.01 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
