PJD35P03-L2, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2990 шт., срок 6 недель
270 руб.
от 5 шт. —
120 руб.
от 25 шт. —
66 руб.
от 100 шт. —
51.23 руб.
1 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Технические параметры
| Case | TO252AA |
| Drain current | -35A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate charge | 11nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 30mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 35W |
| Pulsed drain current | -140A |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
