BSS123-R1, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8370 шт., срок 6 недель
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
9.70 руб.
от 3000 шт. —
7.12 руб.
15 шт.
на сумму 285 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Drain current | 0.17A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 1.8nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 10Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.5W |
| Pulsed drain current | 0.68A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.01 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
