PJA3416AE-R1, Transistor: N-MOSFET

PJA3416AE-R1, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2915 шт., срок 6 недель
54 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт.29 руб.
от 100 шт.23 руб.
от 500 шт.17.85 руб.
5 шт. на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8029434152
Артикул: PJA3416AE-R1

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case SOT23
Drain current 6.5A
Drain-source voltage 20V
Gate charge 8.6nC
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer PanJit Semiconductor
Mounting SMD
On-state resistance 34mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.25W
Pulsed drain current 32A
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.01

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.