PJA3416AE-R1, Transistor: N-MOSFET
![PJA3416AE-R1, Transistor: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/944/DOC041944460.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2915 шт., срок 6 недель
54 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт. —
29 руб.
от 100 шт. —
23 руб.
от 500 шт. —
17.85 руб.
5 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | SOT23 |
Drain current | 6.5A |
Drain-source voltage | 20V |
Gate charge | 8.6nC |
Gate-source voltage | ±8V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | PanJit Semiconductor |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 34mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.25W |
Pulsed drain current | 32A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.01 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.