BST82.215, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт. со склада г.Москва, срок 7-9 дней
41 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
16 шт.
на сумму 656 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор полевой BST82,215 от производителя NEXPERIA представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Этот транзистор обладает током стока 0,19 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет ему справляться с широким спектром задач. Мощность устройства составляет 0,83 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 10 Ом, что обеспечивает его эффективную работу в различных электронных схемах. Транзистор имеет компактный корпус SOT23, что делает его идеальным для использования в ограниченных пространствах. Продукт BST82215 является надежным решением для разработчиков и инженеров, стремящихся к миниатюризации и повышению эффективности своих проектов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.19 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 0.83 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 10 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 190 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 830 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | 933733110215 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 830 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
