BC856B.215, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт. со склада г.Москва, срок 7-9 дней
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
16 шт.
на сумму 128 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 100MA 65V
Технические параметры
| Структура | PNP |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 125 |
| Hfe при токе коллектора, А | 0.002 |
| Hfe при напряжении к-э, В | 5 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT23 |
| Диапазон рабочих температур, оС | -65...150 |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | BC856B T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA at 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Transistor Type | PNP |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 205 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC856B
pdf, 75 КБ
Datasheet BC856B,215
pdf, 371 КБ
Datasheet BC856_BC857_BC858
pdf, 207 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
