DMN5L06K-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
47 руб.
от 10 шт. —
30 руб.
от 100 шт. —
15.88 руб.
2 шт.
на сумму 194 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 300mA(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
