PIMH9.115, Биполярный транзистор
![Фото 1/3 PIMH9.115, Биполярный транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/555/DOC021555805.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/864/DOC025864497.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/864/DOC025864501.jpg)
140 шт. со склада г.Москва
34 руб.
1 шт.
на сумму 34 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 400 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-457(SC-74) |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | NPN |
Typical Input Resistor | 10 kΩ |
Typical Resistor Ratio | 0.21 |
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
Power Dissipation | 600мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 6 Выводов |
Корпус РЧ Транзистора | SC-74 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
Полярность Цифрового Транзистора | Двойной NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | SC-74 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.