FDP61N20
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 руб.
от 2 шт. —
1 160 руб.
1 шт.
на сумму 1 240 руб.
Плати частями
от 310 руб. × 4 платежа
от 310 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 61(A) |
Drain-Source On-Volt | 200(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-220 |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Polarity | N |
Power Dissipation | 417(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Fall Time: | 170 ns |
Forward Transconductance - Min: | 44.5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 61 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 417 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 75 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
Rise Time: | 215 ns |
Series: | FDP61N20 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 125 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 61 A |
Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 417 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Series | UniFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 3.4 |