IXXK100N60C3H1, Транзистор
![IXXK100N60C3H1, Транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/707/DOC022707341.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 560 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 560 руб.
Плати частями
от 4 140 руб. × 4 платежа
от 4 140 руб. × 4 платежа
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Energy Rating | 600mJ |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 695 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-264 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 20 → 60kHz |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXXK100N60C3H1
pdf, 239 КБ