2SC3357-RE, Транзистор биполярный BJT 100 нА 12 В 1,2 Вт 150 @ 20 мА, 10 В 100 мА 6,5 ГГц NPN +150-@(Tj) SOT-89(SOT-89-3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
144 шт. со склада г.Москва
15 руб.
от 10 шт. —
14 руб.
от 100 шт. —
13 руб.
1 шт.
на сумму 15 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы
12V 1.2W 150@20mA,10V 100mA NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@20mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Transition Frequency (fT) | 6.5GHz |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 364 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
