NCE4614, МОП-Транзистор SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 шт. со склада г.Москва
44 руб.
от 10 шт. —
39 руб.
1 шт.
на сумму 44 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Микросхемы
SOIC-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 8A(Tc),7A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 19mО© @ 8A,10V;35mО© @ 8A,10V |
| Transistor Polarity | N & P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V, 8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet NCE4614
pdf, 531 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
