PJW4P06A_R2_00001, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 6 недель
160 руб.
от 10 шт. —
97 руб.
от 25 шт. —
83 руб.
от 100 шт. —
59.50 руб.
1 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Drain current | -4A |
| Drain-source voltage | -60V |
| Gate charge | 10nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.1W |
| Pulsed drain current | -16A |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.1 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
