PBSS4350X,115, Транзистор
![Фото 1/5 PBSS4350X,115, Транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/437/DOC004437740.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/797/DOC016797409.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/650/DOC006650525.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC007545265.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
4 шт. со склада г.Москва
47 руб.
1 шт.
на сумму 47 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 3A
Технические параметры
Base Product Number | PBSS4350 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-243AA |
Power - Max | 1.6W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Pd - рассеивание мощности: | 1600 mW |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Высота: | 1.6 mm |
Длина: | 4.6 mm |
Другие названия товара №: | 934055628115 |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация: | AEC-Q101 |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 3 A |
Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |
Производитель: | Nexperia |
Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | Nexperia |
Упаковка / блок: | SOT-89-3 |
Ширина: | 2.6 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 3A |
Pd - Power Dissipation | 1.6W |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | UPAK |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.