C3M0016120K, TO-247-4 SiC MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 шт., срок 6-8 недель
9 050 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
8 670 руб.
5 шт.
на сумму 45 250 руб.
Плати частями
от 11 314 руб. × 4 платежа
от 11 314 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Industry-leading 16mΩ RDS(on) 1200V VBR (minimum) across entire operating temperature range [-40˚C – 175˚C]
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
| Power Dissipation | 556Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | C3M |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 115А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 556Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 19 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.6V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 556 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 211 nC @ 4/15V |
| Width | 5.21mm |
Техническая документация
Datasheet C3M0016120K
pdf, 1055 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
