BPY 62-4, 100mA 200mW 35V 50nA 830nm TO-206AATO-18 Phototransistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 6-8 недель
680 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
540 руб.
5 шт.
на сумму 3 400 руб.
Плати частями
от 850 руб. × 4 платежа
от 850 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Фототранзистор, TO18, 4,8мм, -p макс: 830нм, 35В, 8°, -d: 400-1100нм
Технические параметры
| Brand | OSRAM Opto Semiconductors |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 35 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 35 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 160 mV |
| Dark Current | 50 nA |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 9 us |
| Half Intensity Angle Degrees | 8 deg |
| Height | 6.2 mm |
| Length | 5.6 mm |
| Light Current | 2500 uA |
| Manufacturer | Osram Opto Semiconductor |
| Maximum On-State Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-18 |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | Q60215Y1113 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Peak Wavelength | 830 nm |
| Product | Phototransistors |
| Product Category | Phototransistors |
| Rise Time | 9 us |
| RoHS | Details |
| Type | Chip |
| Wavelength | 830 nm |
| Width | 5.6 mm |
| Collector Dark Current | 50nA |
| Collector Emitter Voltage | 35V |
| Dissipation Power(Max) | 200mW |
Техническая документация
Документация
pdf, 264 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
