BCM847DS,115,
![Фото 1/4 BCM847DS,115,](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC002974214.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/876/DOC016876683.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/553/DOC006553262.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
2900 шт., срок 6-8 недель
36 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 1000 шт. —
28 руб.
100 шт.
на сумму 3 600 руб.
Плати частями
от 900 руб. × 4 платежа
от 900 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS MATCHED PAIR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.1 mm |
Другие названия товара № | 934059058135 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA, 5 V |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA, 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | TSOP-6 |
Ширина | 1.7 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-457(SC-74) |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Current Mirror |
Transistor Type | NPN |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.2@0.5mA@10mA|0.4@5mA@100mA V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -65 to 150 ?C |
Package | 6TSOP |
Packaging | Tape & Reel |
Rad Hard | No |
Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 120 КБ
Datasheet
pdf, 576 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BCM847DS,135
pdf, 623 КБ
Datasheet BCM847BV_BS_DS
pdf, 624 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.