PJD50N10AL-AU_L2_000A1, 100V 25m@20A,10V 2.5V@250uA 1PCSNChannel TO-252 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2985 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
110 руб.
от 150 шт. —
90 руб.
от 500 шт. —
82.39 руб.
5 шт.
на сумму 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252AA-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28.5 mOhms |
| Rise Time: | 30 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 375 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
