Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.51, (картинки)

_{2325 из 3047}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

быстрый просмотр

Toshiba

GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

6 недель, 166 шт.

960 руб.

GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

6 недель, 36 шт.

1 480 руб.

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J121(Q), IGBTs 600V/30A DIS

5-7 недель, 128 шт.

910 руб.

GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN

6 недель, 64 шт.

980 руб.

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J122A(STA1,E,D, TO-3PN IGBTs ROHS

6-8 недель, 290 шт.

390 руб.

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J122A(STA1,E,D, БТИЗ IGBT ТО-3ПН

3-4 недели, 294 шт.

550 руб.

GT30J322(Q) IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3PNIS, Through Hole

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J322(Q) IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3PNIS, Through Hole

6 недель, 1 шт.

1 350 руб.

GT30J65MRB,S1E, IGBTs 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, IC=60A

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J65MRB,S1E, IGBTs 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, IC=60A

5-7 недель, 460 шт.

700 руб.

GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN

быстрый просмотр

Toshiba

GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN

6 недель, 426 шт.

1 050 руб.

GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN

быстрый просмотр

Toshiba

GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN

6 недель, 87 шт.

3 550 руб.

GT50JR21(STA1,E,S), IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ

быстрый просмотр

Toshiba

GT50JR21(STA1,E,S), IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ

5-7 недель, 50 шт.

1 310 руб.

GT50N322A, IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V

быстрый просмотр

Toshiba

GT50N322A, IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V

5-7 недель, 144 шт.

1 300 руб.

быстрый просмотр

Broadcom

HCPL-J314-000E

970 руб.

от 50 шт. — 560 руб.

от 100 шт. — 429 руб.

от 500 шт. — 337.11 руб.

HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

быстрый просмотр

Huajing

HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

6 недель, 2 шт.

20 750 руб.

HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

быстрый просмотр

Huajing

HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

6 недель, 2 шт.

35 660 руб.

HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

быстрый просмотр

Huajing

HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

6 недель, 3 шт.

12 840 руб.

от 3 шт. — 10 390 руб.

HGT1S10N120BNST, IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3

быстрый просмотр

ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST, IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3

670 руб.

от 10 шт. — 600 руб.

от 100 шт. — 470 руб.

HGTD1N120BNS9A, IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

быстрый просмотр

ON Semiconductor

HGTD1N120BNS9A, IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

450 руб.

от 10 шт. — 350 руб.

от 100 шт. — 254 руб.

от 500 шт. — 201.08 руб.

HYG15P120A1K1 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A 1200 V, 22-Pin, Through Hole

быстрый просмотр

HY Electronic

HYG15P120A1K1 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A 1200 V, 22-Pin, Through Hole

6 недель, 2 шт.

9 630 руб.

IFCM20U65GDXKMA1, Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers IFPS MODULES

быстрый просмотр

Infineon

IFCM20U65GDXKMA1, Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers IFPS MODULES

4 330 руб.

от 10 шт. — 3 280 руб.

от 25 шт. — 2 990 руб.