GT30J322(Q) IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3PNIS, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 6 недель
1 350 руб.
1 шт.
на сумму 1 350 руб.
Плати частями
от 339 руб. × 4 платежа
от 339 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-3PNIS |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 5.8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
