Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Toshiba

28 из 3047
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
154 шт.
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 6.5
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3P(N)
быстрый просмотр
154 шт.
1 900 руб. ×
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]
10 шт.
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21F2C
быстрый просмотр
10 шт.
1 320 руб. ×
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
3161 шт.
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 6.5
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3P(N)
быстрый просмотр
3161 шт.
240 руб. ×
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
57 шт.
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21F2C
быстрый просмотр
57 шт.
890 руб. ×
быстрый просмотр
1 шт.
410 руб. ×
GT50N322A
7-9 дней, 1 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
7-9 дней,
1 шт.
1 120 руб. ×
GT15J341 IGBT, 15 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole
6 недель, 20 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
20 шт.
760 руб. ×
GT15J341 IGBT, 15 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole
6 недель, 50 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
50 шт.
570 руб. ×
GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole
6 недель, 166 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
166 шт.
960 руб. ×
GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
6 недель, 36 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
36 шт.
1 480 руб. ×
GT30J121(Q), IGBTs 600V/30A DIS
5-7 недель, 128 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
5-7 недель,
128 шт.
910 руб. ×
GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN
6 недель, 64 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
64 шт.
980 руб. ×
GT30J122A(STA1,E,D, TO-3PN IGBTs ROHS
6-8 недель, 290 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6-8 недель,
290 шт.
390 руб. ×
GT30J122A(STA1,E,D, БТИЗ IGBT ТО-3ПН
3-4 недели, 294 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
3-4 недели,
294 шт.
550 руб. ×
GT30J322(Q) IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3PNIS, Through Hole
6 недель, 1 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
1 шт.
1 350 руб. ×
GT30J65MRB,S1E, IGBTs 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, IC=60A
5-7 недель, 460 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
5-7 недель,
460 шт.
700 руб. ×
GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
6 недель, 426 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
426 шт.
1 050 руб. ×
GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
6 недель, 87 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
6 недель,
87 шт.
3 550 руб. ×
быстрый просмотр
5-7 недель,
50 шт.
1 310 руб. ×
GT50N322A, IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V
5-7 недель, 144 шт.
Бренд: Toshiba
быстрый просмотр
5-7 недель,
144 шт.
1 300 руб. ×
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60