GT50N322A
![GT50N322A](https://static.chipdip.ru/lib/427/DOC043427250.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 7-9 дней
1 120 руб.
1 шт.
на сумму 1 120 руб.
Плати частями
от 280 руб. × 4 платежа
от 280 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 120 A |
Factory Pack Quantity: | 50 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 500 nA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, 25 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-3PN-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 156 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.