GT30N135SRA,S1E, IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
3921 шт., срок 5-7 недель
1 040 руб.
1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Плати частями
от 260 руб. × 4 платежа
от 260 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.35 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.15 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation: | 348 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 557 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
