Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.36

1401 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
MS8N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-220]
157 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/4А, 10В
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
157 шт.
170 руб. ×
от 10 шт. — 153 руб.
MS9N150H1, Транзистор N-MOSFET 1500В 9А 350Вт [TO-247]
348 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.2 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 350
Крутизна характеристики, S: 7
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
348 шт.
460 руб. ×
от 15 шт. — 414 руб.
NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.21 Ом/1.3А, 2.7В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Крутизна характеристики, S: 3.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
24 руб. ×
NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 93
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 32
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 15 шт. — 165 руб.
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 249 руб.
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0058 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25.5
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 98 руб.
NTMFS5C430NLT1G, Транзистор MOSFET N-канал 40В 38А [DFN5/ SO-8FL EP]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 310 руб.
PSMN017-60YS,115, Транзистор MOSFET N-канал 60В 44А [LFPAK]
162 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0157 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Корпус: LFPAK/SOT-669
быстрый просмотр
162 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 235 руб.
PSMN3R4-30PL,127, Транзистор Logic level MOSFET, 30В, 100А [SOT-78 / TO-220AB]
107 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0034 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 114
Корпус: to-220
быстрый просмотр
107 шт.
490 руб. ×
от 15 шт. — 457 руб.
RD01MUS2-T113, Транзистор для VHF/UHF усилителей, 1.6Вт, 14dB, 7.2В, 527МГц [SOT-89]
Бренд: Mitsubishi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.06
Корпус: sot-89
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 20 шт. — 136 руб.
RD16HHF1-501, Транзистор, 30МГц, 16Вт [TO-220AB]
Бренд: Mitsubishi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 16
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 650 руб. ×
от 15 шт. — 1 640 руб.
RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 131
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 15 шт. — 199 руб.
SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.068 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.7
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
54 руб. ×
от 100 шт. — 49 руб.
SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]
1236 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 24
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
1236 шт.
24 руб. ×
от 100 шт. — 18 руб.
SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 2.6А 20В [SOT-23]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.057 Ом/3.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.71
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
44 руб. ×
от 100 шт. — 41 руб.
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]
8633 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.086 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.66
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8633 шт.
29 руб. ×
от 100 шт. — 27 руб.
SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.042Ом/4.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
72 руб. ×
от 100 шт. — 53 руб.
SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Крутизна характеристики, S: 6.4
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
SIHG30N60E-GE3, Транзистор N-MOSFET 600В 29А 250Вт [TO-247AC]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 29
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.104 Ом/15A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
380 руб. ×
от 100 шт. — 335 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60