Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor, стр.10

_{231 из 3081}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

NXH50C120L2C2ESG, IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	25 910 руб. ×	от 12 шт. — 22 220 руб.
NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	15 360 руб. ×	от 5 шт. — 14 030 руб. от 10 шт. — 13 590 руб.
NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	16 410 руб. ×	от 5 шт. — 14 950 руб. от 10 шт. — 14 440 руб.
SGL160N60UFDTU, Транзистор: IGBT, 600В, 80А, 100Вт, TO264 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	3 300 руб. ×	от 10 шт. — 2 910 руб. от 25 шт. — 2 640 руб. от 100 шт. — 2 034.70 руб.
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pf		480 руб. ×
FGH75T65SQDTL4, Транзистор IGBT 650В 75А [TO-247-4LD] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 44 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 296 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-4LD		1 560 руб. ×	от 5 шт. — 1 370 руб.
FGA6065ADF Бренд: ON Semiconductor		1 990 руб. ×	от 2 шт. — 1 850 руб. от 5 шт. — 1 720 руб. от 10 шт. — 1 652.50 руб.
FGPF4633 Бренд: ON Semiconductor		480 руб. ×
HGTP20N60A4 Бренд: ON Semiconductor		760 руб. ×	от 2 шт. — 640 руб. от 5 шт. — 564 руб. от 10 шт. — 526.25 руб.
ISL9V3036D3S Бренд: ON Semiconductor		770 руб. ×	от 2 шт. — 650 руб. от 5 шт. — 567 руб. от 10 шт. — 528.75 руб.
NGTB15N60S1EG Бренд: ON Semiconductor		430 руб. ×	от 2 шт. — 370 руб. от 10 шт. — 313 руб.
NGTB30N120LWG Бренд: ON Semiconductor		1 270 руб. ×	от 2 шт. — 1 150 руб. от 5 шт. — 1 050 руб. от 9 шт. — 998.75 руб.
HGTP20N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB		320 руб. ×	от 8 шт. — 270 руб. от 16 шт. — 252 руб. от 32 шт. — 242 руб.
AFGHL30T65RQDN, IGBTs IGBT - 650 V 30 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified Бренд: ON Semiconductor		1 370 руб. ×	от 10 шт. — 1 060 руб. от 25 шт. — 966 руб. от 100 шт. — 774.65 руб.
AFGHL50T65RQDN, IGBTs IGBT - 650 V 50 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified Бренд: ON Semiconductor		1 700 руб. ×	от 10 шт. — 1 320 руб. от 25 шт. — 1 210 руб. от 100 шт. — 970.73 руб.
AFGHL75T65SQ, IGBTs IGBT - 650 V FS4 standalone IGBT IGBT - 650 V FS4 without Co-pack diode Бренд: ON Semiconductor		1 610 руб. ×	от 10 шт. — 1 430 руб. от 25 шт. — 1 120 руб. от 100 шт. — 912.63 руб.
AFGY160T65SPD-B4, IGBTs IGBT - 650V, 160A Field Stop Trench IGBT with VCESAT and VTH Binning Бренд: ON Semiconductor		3 920 руб. ×	от 10 шт. — 3 490 руб. от 30 шт. — 2 800 руб. от 60 шт. — 2 458.91 руб.
FAM65CR51DZ2, IGBT Modules APM16 CDA PFC SF3 F RFET Бренд: ON Semiconductor		8 580 руб. ×
FGA6560WDF, IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN Бренд: ON Semiconductor		760 руб. ×	от 10 шт. — 670 руб. от 100 шт. — 506 руб.
FGA6560WDF, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 153Вт; TO3PN Бренд: ON Semiconductor		880 руб. ×	от 10 шт. — 700 руб. от 30 шт. — 574 руб. от 90 шт. — 516.15 руб.