Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.51

_{2325 из 3047}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole 6 недель, 166 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 166 шт.	960 руб. ×
GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole 6 недель, 36 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 36 шт.	1 480 руб. ×
GT30J121(Q), IGBTs 600V/30A DIS 5-7 недель, 128 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	5-7 недель, 128 шт.	910 руб. ×
GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN 6 недель, 64 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 64 шт.	980 руб. ×
GT30J122A(STA1,E,D, TO-3PN IGBTs ROHS 6-8 недель, 290 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6-8 недель, 290 шт.	390 руб. ×
GT30J122A(STA1,E,D, БТИЗ IGBT ТО-3ПН 3-4 недели, 294 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	3-4 недели, 294 шт.	550 руб. ×
GT30J322(Q) IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3PNIS, Through Hole 6 недель, 1 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 1 шт.	1 350 руб. ×
GT30J65MRB,S1E, IGBTs 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, IC=60A 5-7 недель, 460 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	5-7 недель, 460 шт.	700 руб. ×
GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN 6 недель, 426 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 426 шт.	1 050 руб. ×
GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN 6 недель, 87 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 87 шт.	3 550 руб. ×
GT50JR21(STA1,E,S), IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ 5-7 недель, 50 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	5-7 недель, 50 шт.	1 310 руб. ×
GT50N322A, IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V 5-7 недель, 144 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	5-7 недель, 144 шт.	1 300 руб. ×
HCPL-J314-000E Бренд: Broadcom	быстрый просмотр		970 руб. ×	от 50 шт. — 560 руб. от 100 шт. — 429 руб. от 500 шт. — 337.11 руб.
HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ 6 недель, 2 шт. Бренд: Huajing	быстрый просмотр	6 недель, 2 шт.	20 750 руб. ×
HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ 6 недель, 2 шт. Бренд: Huajing	быстрый просмотр	6 недель, 2 шт.	35 660 руб. ×
HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ 6 недель, 3 шт. Бренд: Huajing	быстрый просмотр	6 недель, 3 шт.	12 840 руб. ×	от 3 шт. — 10 390 руб.
HGT1S10N120BNST, IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		670 руб. ×	от 10 шт. — 600 руб. от 100 шт. — 470 руб.
HGTD1N120BNS9A, IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		450 руб. ×	от 10 шт. — 350 руб. от 100 шт. — 254 руб. от 500 шт. — 201.08 руб.
HYG15P120A1K1 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A 1200 V, 22-Pin, Through Hole 6 недель, 2 шт. Бренд: HY Electronic	быстрый просмотр	6 недель, 2 шт.	9 630 руб. ×
IFCM20U65GDXKMA1, Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers IFPS MODULES Бренд: Infineon	быстрый просмотр		4 330 руб. ×	от 10 шт. — 3 280 руб. от 25 шт. — 2 990 руб.