Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics

Транзисторы биполярные с изолированным затвором ST Microelectronics, стр.17

_{392 из 3082}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

VNH5019ATR-E, Драйвер FET-IGBT SOP-30 3-4 недели, 37 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	3-4 недели, 37 шт.	1 740 руб. ×	от 10 шт. — 1 410 руб. от 30 шт. — 1 260 руб.
STGB18N40LZT4, Транзистор IGBT 420В 30А [D2PAK] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	120 руб. ×	от 10 шт. — 107 руб.
STGD18N40LZT4, Транзистор IGBT 420В 25А [DPAK] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	140 руб. ×	от 10 шт. — 131 руб.
STGD6NC60HDT4, Транзистор IGBT 600В 15А [DPAK] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	110 руб. ×	от 15 шт. — 99 руб.
STGF6NC60HD, Транзистор IGBT 600В 6А [TO-220FP] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	180 руб. ×	от 10 шт. — 162 руб.
STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В По запросу Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	По запросу	230 руб. ×	от 15 шт. — 210 руб.
STGIPS14K60T, Микросхема: driver; 3-фазный мост IGBT,термистор NTC; SLLIмм™; SDIP-25L 9 шт. Бренд: ST Microelectronics		9 шт.	6 090 руб. ×
STGD14NC60KT4 4-7 дней, 22 шт. Бренд: ST Microelectronics		4-7 дней, 22 шт.	410 руб. ×	от 2 шт. — 310 руб. от 5 шт. — 248 руб. от 10 шт. — 221.76 руб.
STGP30V60F 4-7 дней, 10 шт. Бренд: ST Microelectronics		4-7 дней, 10 шт.	970 руб. ×	от 2 шт. — 850 руб. от 5 шт. — 760 руб. от 10 шт. — 720 руб.
STGP40V60F 4-7 дней, 9 шт. Бренд: ST Microelectronics		4-7 дней, 9 шт.	1 190 руб. ×	от 2 шт. — 1 060 руб. от 5 шт. — 962 руб.
STGW40NC60WD 4-7 дней, 7 шт. Бренд: ST Microelectronics		4-7 дней, 7 шт.	1 290 руб. ×	от 2 шт. — 1 160 руб. от 5 шт. — 1 060 руб.
STGW50H60DF 4-7 дней, 3 шт. Бренд: ST Microelectronics		4-7 дней, 3 шт.	1 790 руб. ×	от 2 шт. — 1 670 руб. от 3 шт. — 1 580 руб.
STGW50NC60W 4-7 дней, 17 шт. Бренд: ST Microelectronics		4-7 дней, 17 шт.	2 750 руб. ×	от 2 шт. — 2 560 руб. от 5 шт. — 2 430 руб. от 10 шт. — 2 341.25 руб.
STGWA60NC60WDR 4-7 дней, 1 шт. Бренд: ST Microelectronics		4-7 дней, 1 шт.	2 180 руб. ×
STGW20H65FB, Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба 8-10 дней, 30 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-247		8-10 дней, 30 шт.	730 руб. ×	от 4 шт. — 630 руб. от 8 шт. — 590 руб. от 15 шт. — 569 руб.
STGB19NC60KDT4, IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 5-7 недель, 827 шт. Бренд: ST Microelectronics		5-7 недель, 827 шт.	1 660 руб. ×	от 10 шт. — 1 370 руб. от 100 шт. — 1 000 руб. от 500 шт. — 827.15 руб.
STGB20H60DF, IGBTs 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT 5-7 недель, 409 шт. Бренд: ST Microelectronics		5-7 недель, 409 шт.	630 руб. ×	от 10 шт. — 490 руб. от 100 шт. — 373 руб. от 250 шт. — 341.33 руб.
STGB35N35LZ-1 6-8 недель, 951 шт. Бренд: ST Microelectronics		6-8 недель, 951 шт.	800 руб. ×	от 50 шт. — 550 руб. от 100 шт. — 450 руб. от 500 шт. — 331.28 руб.
STGB40V60F, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed 5-7 недель, 939 шт. Бренд: ST Microelectronics		5-7 недель, 939 шт.	850 руб. ×	от 10 шт. — 670 руб. от 25 шт. — 620 руб. от 100 шт. — 481.74 руб.
STGB7H60DF, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed 5-7 недель, 765 шт. Бренд: ST Microelectronics		5-7 недель, 765 шт.	400 руб. ×	от 10 шт. — 310 руб. от 100 шт. — 228 руб. от 500 шт. — 180.59 руб.