Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.32

_{2325 из 3047}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BIDNW30N60H3, IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N Бренд: Bourns	быстрый просмотр		1 080 руб. ×	от 10 шт. — 840 руб. от 25 шт. — 801 руб. от 100 шт. — 610.41 руб.
BIDW20N60T Бренд: Bourns	быстрый просмотр		820 руб. ×	от 10 шт. — 700 руб. от 100 шт. — 580 руб.
BIDW20N60T Single Diode IGBT, 20 A 600 V TO-247 Бренд: Bourns	быстрый просмотр		1 270 руб. ×
BIDW20N60T, IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247 Бренд: Bourns	быстрый просмотр		960 руб. ×	от 10 шт. — 760 руб. от 25 шт. — 699 руб. от 100 шт. — 545.78 руб.
BIDW30N60T, IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 Бренд: Bourns	быстрый просмотр		1 190 руб. ×	от 10 шт. — 1 090 руб. от 25 шт. — 842 руб. от 100 шт. — 675.04 руб.
BIDW50N65T, IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 Бренд: Bourns	быстрый просмотр		1 530 руб. ×	от 10 шт. — 1 190 руб. от 25 шт. — 1 150 руб. от 100 шт. — 871.33 руб.
BTS712N1XUMA1, Current Limit Switch High Side Бренд: Infineon	быстрый просмотр		810 руб. ×	от 2000 шт. — 780 руб.
CRG15T120BNR3S, TO-3P IGBTs ROHS 6-8 недель, 820 шт. Бренд: CRMICRO	быстрый просмотр	6-8 недель, 820 шт.	230 руб. ×	от 50 шт. — 150 руб. от 150 шт. — 129 руб. от 500 шт. — 117.64 руб.
CRG40T60AN3H, 280W 40A 600V TO-3PN IGBTs ROHS 6-8 недель, 275 шт. Бренд: CRMICRO	быстрый просмотр	6-8 недель, 275 шт.	230 руб. ×	от 50 шт. — 180 руб. от 150 шт. — 155 руб.
DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		9 570 руб. ×	от 5 шт. — 8 900 руб. от 10 шт. — 8 120 руб.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2, IGBT Modules N Бренд: Infineon	быстрый просмотр		16 710 руб. ×
DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		14 620 руб. ×	от 5 шт. — 13 050 руб. от 10 шт. — 12 330 руб.
DF160R12W2H3FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Four Pack, 160 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		32 090 руб. ×	от 5 шт. — 29 630 руб. от 10 шт. — 27 250 руб.
DF80R07W1H5FPB11BPSA1, IGBT Modules N Бренд: Infineon	быстрый просмотр		15 660 руб. ×	от 10 шт. — 13 320 руб.
DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		13 700 руб. ×	от 5 шт. — 12 230 руб.
DF80R12W2H3F_B11, IGBT Modules LOW POWER EASY Бренд: Infineon	быстрый просмотр		22 630 руб. ×
DF80R12W2H3FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 80 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		10 230 руб. ×	от 5 шт. — 9 690 руб. от 10 шт. — 9 160 руб.
DG100X07T2, TRANS, IGBT, 650V, 200A, TO-247 PLUS 7-9 недель, 24 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 24 шт.	2 780 руб. ×	от 5 шт. — 2 450 руб. от 10 шт. — 2 120 руб.
DG10X06T1, TRANS, IGBT, 600V, 25A, 196W, TO-220 7-9 недель, 30 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 30 шт.	410 руб. ×	от 10 шт. — 360 руб.
DG10X12T2, Транзистор: IGBT 6 недель, 56 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	6 недель, 56 шт.	740 руб. ×	от 3 шт. — 610 руб. от 10 шт. — 474 руб. от 30 шт. — 407.09 руб.