Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.37

_{2325 из 3047}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FF450R33T3E3B5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 450 А, 2.5 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	276 300 руб. ×
FF450R33T3E3BPSA1, IGBT Modules N Бренд: Infineon	быстрый просмотр	301 500 руб. ×
FF500R17KE4BOSA1, IGBT Modules N Бренд: Infineon	быстрый просмотр	50 660 руб. ×	от 10 шт. — 45 690 руб. от 20 шт. — 45 620 руб.
FF50R12RT4, IGBT Modules IGBT 1200V 50A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	21 120 руб. ×	от 10 шт. — 16 690 руб.
FF600R07ME4B11BPSA1, IGBT Modules N Бренд: Infineon	быстрый просмотр	37 850 руб. ×
FF600R07ME4BPSA1, IGBT Modules N Бренд: Infineon	быстрый просмотр	37 850 руб. ×
FF600R07ME4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 600 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	38 310 руб. ×	от 5 шт. — 31 870 руб.
FF600R12KE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-62MM Бренд: Infineon	быстрый просмотр	65 680 руб. ×
FF600R12KE4EBOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 7-Pin 62 mm Бренд: Infineon	быстрый просмотр	67 740 руб. ×
FF600R12KE4PBOSA1, IGBT Modules N Бренд: Infineon	быстрый просмотр	44 190 руб. ×	от 8 шт. — 40 590 руб.
FF600R12ME4AB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 995 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	102 600 руб. ×	от 5 шт. — 95 300 руб.
FF600R12ME4BOSA1 Бренд: Infineon	быстрый просмотр	65 470 руб. ×
FF600R12ME4EB11BOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 13-Pin ECONODUAL Бренд: Infineon	быстрый просмотр	70 000 руб. ×
FF600R12ME4EB11BOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 13-Pin ECONODUAL Бренд: Infineon	быстрый просмотр	74 830 руб. ×
FF600R17ME4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 950A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	98 690 руб. ×	от 5 шт. — 90 400 руб.
FF650R17IE4, IGBT Modules N-CH 1.7KV 930A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	104 300 руб. ×
FF650R17IE4DB2BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 930 А, 2 В, 4.15 кВт, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	103 800 руб. ×
FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V Бренд: Infineon	быстрый просмотр	175 100 руб. ×
FGA30T65SHD, БТИЗ транзистор, траншейного типа, 60 А, 1.6 В, 238 Вт, 650 В, TO-3PN, 3 вывод(-ов) Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1 070 руб. ×	от 10 шт. — 980 руб. от 100 шт. — 667 руб.
FGA40T65SHD, IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1 030 руб. ×	от 10 шт. — 810 руб. от 25 шт. — 758 руб. от 100 шт. — 643.92 руб.